Qualcomm의 새로운 snapdragon 835 프로세서로 27 % 성능 향상
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다음으로 유명한 Qualcomm의 주력 시스템 온 칩은 Snapdragon 835 입니다. 이 회사는 최근이 차세대 프로세서를 발표하여 현재 하드웨어에서 발견되는 인기있는 Snapdragon 821 및 820을 현재의 Snapdragon 라인업 시장에서 200 개가 넘는 디자인으로 대체했습니다.
이 회사는 새로 설계된 칩의 아키텍처에 대한 많은 세부 정보를 공개하지 않았습니다. Snapdragon 835 프로세서에 대해 지금까지 알고있는 내용은 다음과 같습니다.
- 이 칩은 10nm (나노 미터) Samsung FinFET 기술을 사용하여 제작되어 821에서 사용 된 14nm 공정과 달리 업계 최초의 반도체 공정 기술이되었습니다.
- 이 프로세서는 크기가 100 나노 미터 (nm) 미만인 분자 및 원자와 같은 나노 물질로 구성되어 더 큰 입자 당량과 다른 특성을 나타냅니다. 일부 강화 된 나노 물질 특성에는 경량, 고강도 및 화학적 반응성이 포함됩니다.
또한 삼성은 10nm 공정이 면적 대비 30 % 증가, 27 % 더 높은 성능 또는 40 % 더 낮은 전력 소비의 조합을 측정 할 수 있다고 주장한다. 시리즈.
Qualcomm Technologies의 제품 관리 담당 부사장 인 Keith Kressin은“모바일 업계를 선도하는 제품을 개발하기 위해 삼성과 계속 협력하게되어 기쁩니다. Inc.“새로운 10nm 프로세스 노드를 사용하면 프리미엄급 Snapdragon 835 프로세서가 더 높은 전력 효율을 제공하고 성능을 향상시키는 동시에 미래의 모바일 장치의 사용자 경험을 향상시킬 수있는 여러 가지 새로운 기능을 추가 할 수있을 것으로 기대됩니다.
Qualcomm은 USB 케이블을 통해 최대 전압 및 전류를 생성하여 전력 효율과 전체 장치 성능을 향상시키기 위해 고안된 기능인 Quick Charge 기술로 10nm 노드를 인정합니다. 그러나 강력한 기능에는 고유 한 제한이 없으며이 특정 기능의 경우 USB 케이블에서 비표준 신호 연결 및 비표준 연결을 사용하므로 여러 비 호환성 문제가 발생하는 것으로 알려져 있습니다.
또한 빠른 충전 기술은 단 5 분의 충전으로 최대 5 시간의 배터리 수명을 제공하는 기능과 함께 20 % 빠른 충전 시간을 제공한다고 주장합니다. Qualcomm은 현재 시장에서 판매되는 평균 프리미엄 스마트 폰을위한 상당히 표준적인 크기의 배터리 인 2750mAh 배터리의 내부 테스트에 대한 주장을 근거로합니다.
Qualcomm Snapdragon 835 칩은 내년 초 시장에 출시 될 예정입니다.
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